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Affichage 21 articles: FDP18N50 à FDS9435A (Page 63 sur 114)

Transistor FDP18N50
FDP18N50
9.24€ TTC
68 En stock
68 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET) 500V 18A. Boîtier: TO-220AB. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 18A. Puissance: 235W. Résistance Rds: 0.22 Ohms.

 
 
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Transistor FDP2532
FDP2532
14.45€ TTC
156 En stock
156 En stock

Transistor FDP2532 N-MOS 150V 79A 310W 0.016R(56A). N-Channel PowerTrench MOSFET. DC/DC converters and Off-Line UPS. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 150 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 79 A.

 
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Transistor FDP3632
FDP3632
14.90€ TTC
5 En stock
5 En stock

Transistor MOSFET canal N 150V 79A 310W 0.016R (56A). Constructeur: Fairchild Semiconductor. Type de boîtier: TO-220. Boîtier: TO220AB. Transistor FET: MOS. 3-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 150V. Id(T:25): 79A. Puissance: 310 W. Id(T:100): 56A. Id(imp): 80 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 250 uA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Vgs(th) max.:

 
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Transistor FDP3652
FDP3652
12.04€ TTC
45 En stock
45 En stock

Transistor FDP3652 N-MOS 100V 61A 150W 0.014R(70A). N-Channel PowerTrench MOSFET. MOS-N-FET. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-220AB. Tension de Drain maxi: 100 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 61 A. Courant de Drain maxi (@100°C): 70 A. Rds (Ohms): 0.014.

 
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Transistor MOSFET canal-N FDPF12N50NZ
FDPF12N50NZ
9.24€ TTC
30 En stock
30 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode zéner intégrée 500V 11.5A/46Ap 42W. Résistance passante RDSon : 0.46 Ohms (6.9A)

 
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Transistor FDPF5N50T
FDPF5N50T
6.27€ TTC
169 En stock
169 En stock

Transistor MOSFET canal N (N-MOSFET)+D 500V 5A. Marquage boîtier: FDPF5N50T. Boîtier: TO-220F isolé. Vds(max): 500V. Id(@25ºC): 5A. Puissance: 28W. Résistance Rds: 1.15 Ohms. Gamme de température de fonctionnement: -55°C à .+150°C.

 
 
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Transistor MOSFET canal-N FDPF7N50U
FDPF7N50U
9.24€ TTC
23 En stock
23 En stock

Transistor MOSFET canal-N. Diode de roue-libre intégrée 500V 5A/20Ap 31W. Résistance passante RDSon : 1.2 Ohms (3A) tf:35ns

 
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Transistor FDS4435
FDS4435
3.70€ TTC
19 En stock
19 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 8.8A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.015 Ohms. Boîtier: SO-8.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor FDS4435A
FDS4435A
3.81€ TTC
54 En stock
54 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 9A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.015 Ohms. Boîtier: SO-8.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor FDS4435BZ
FDS4435BZ
4.03€ TTC
139 En stock
139 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 8.8A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.016 Ohms. Boîtier: SO-8.

 
 
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Transistor FDS4559
FDS4559
3.08€ TTC
357 En stock
357 En stock

N&P-MOS DUAL CMS 60V 4.5A & 3.5A 2W 8p.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor FDS4935A
FDS4935A
5.94€ TTC
228 En stock
228 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal P 30V 7A 2W. Résistance Rds: 0.019 Ohms. Boîtier: SO-8. PowerTrench.

 
 
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Tarifs dégressifs

Transistor FDS4935BZ
FDS4935BZ
4.48€ TTC
163 En stock
163 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de drain maxi: 6.9A. Puissance: 1.6W. Résistance passante: 0.019 Ohms. Boîtier: SO-8

 
 
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Transistor MOSFET canal-P FDS6679AZ
FDS6679AZ
3.25€ TTC
11 En stock
11 En stock

Transistor MOSFET canal-P. Montage en surface (CMS). 30V 13A/65Ap 2.5W. Résistance passante RDSon : 0.0077 Ohms

 
 
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Transistor FDS6690A
FDS6690A
3.58€ TTC
133 En stock
133 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 11A/50Ap 2.5W 0.0098R 8p.. Constructeur: Fairchild Semiconductor. Montage en surface (CMS). Type de boîtier: SO. Boîtier: CMS SO-8. Transistor FET: MOS. 8-pin. Type de canal: Canal N. Vds(max): 30V. Id(T:25): 11A. Puissance: 2.5 W. Id(imp): 50 Ap. Idss (min): 1 uA. Idss (max): 10 uA. Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. R

 
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Transistor FDS6900AS
FDS6900AS
6.33€ TTC
90 En stock
90 En stock

Transistor double MOSFET canal N (N-MOSFET). Tension drain-source maxi: 30V. Courant de drain maxi: 8.2A & 6.9A. Puissance: 2W. Boîtier: SO8.

 
 
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Transistor FDS8884
FDS8884
2.18€ TTC
2192 En stock
2192 En stock

Transistor MOSFET canal N CMS 30V 8.5A/40Ap 2.5W 0.019R 8p.

 
 
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Transistor FDS8958A
FDS8958A
3.19€ TTC
810 En stock
810 En stock

Double transistor CMS MOSFET canal P/N 30V 7A & 5A 2W. Boîtier: SO-8. Technologie: MOS-N&P-FET. Fréquence de l´horlogenction: Résistance Rds:0.028 Ohms & 0.052 Ohms.

 
 
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Transistor FDS8958B
FDS8958B
3.70€ TTC
2501 En stock
2501 En stock

Transistor FDS8958B N&P-MOS DUAL 30V 6.4A & 4.5A 2W. MOS-N&P-FET. rDS(on)Q1:0.026R & Q2:0.051R. Constructeur: FAI. Boîtier: *CMS SO-8*

 
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Transistor FDS8962C
FDS8962C
5.04€ TTC
225 En stock
225 En stock

Transistor FDS8962C N&P-MOS DUAL 30V 7A & 5A 30V 2W. MOS-N&P-FET. rDS(on)Q1:0.030R & Q2:0.052R. Constructeur: FAI. Boîtier: *CMS SO-8*

 
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Transistor FDS9435A
FDS9435A
3.08€ TTC
44 En stock
44 En stock

Transistor CMS MOSFET canal P (P-MOSFET). Tension maxi: 30V. Courant de Drain maxi: 5.3A. Puissance: 2.5W. Résistance passante: 0.042 Ohms. Boîtier: SO8.

 
 
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© Avtronic. Tous droits réservés. Avtronic - LE SERBON A EV. Numéro d'enregistrement: HU49342471. Dirigeant: Arnaud LE SERBON